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portada Analisi del Voiding indotto da stress e dell'elettromigrazione dei legami Cu-Cu (en Italiano)
Formato
Libro Físico
Autor
Editorial
Idioma
Italiano
N° páginas
56
Encuadernación
Tapa Blanda
Dimensiones
22.9 x 15.2 x 0.3 cm
Peso
0.10 kg.
ISBN13
9786205599914
Categorías

Analisi del Voiding indotto da stress e dell'elettromigrazione dei legami Cu-Cu (en Italiano)

Harjinder Singh (Autor) · Edizioni Sapienza · Tapa Blanda

Analisi del Voiding indotto da stress e dell'elettromigrazione dei legami Cu-Cu (en Italiano) - Singh, Harjinder

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Reseña del libro "Analisi del Voiding indotto da stress e dell'elettromigrazione dei legami Cu-Cu (en Italiano)"

L'impilamento faccia a faccia su Wafer to Wafer (WoW) può essere effettuato per le interconnessioni a incollaggio diretto Cu-Cu. Una buona resistenza meccanica per sostenere la forza di taglio durante l'assottigliamento può essere ottenuta con l'incollaggio Cu. La realizzazione di strutture di interconnessione affidabili è una sfida persistente. Le sollecitazioni derivano dalla deposizione del materiale, dalla mancata corrispondenza dell'espansione termica e dall'elettromigrazione. Il deposito di materiale genera inevitabilmente sollecitazioni. I materiali delle strutture di interconnessione, scelti per funzionare come conduttori, dielettrici o barriere, hanno coefficienti di espansione termica diversi. La forza trainante deriva dalle sollecitazioni generate dalla crescita dei grani e dalla mancata corrispondenza dell'espansione termica (CTE) tra l'interconnessione Cu e i dielettrici. Lo spazio vuoto viene quindi creato per rilasciare lo stress risultante. Anche i fenomeni di elettromigrazione causati dalla tensione di corrente creano un vuoto. In questo progetto, quindi, ho lavorato sul vuoto indotto dalle sollecitazioni e sull'elettromigrazione di un campione di incollaggio diretto Cu-Cu con una temperatura di incollaggio di 300 C.

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