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portada ferroelectric random access memories: fundamentals and applications (en Inglés)
Formato
Libro Físico
Ilustrado por
Editorial
Autor
Año
2010
Idioma
Inglés
N° páginas
291
Encuadernación
Tapa Blanda
Dimensiones
23.4x15.6x1.7 cm
Peso
0.44 kg.
ISBN
3642073840
ISBN13
9783642073847
Categorías

ferroelectric random access memories: fundamentals and applications (en Inglés)

Hiroshi Ishiwara (Ilustrado por) · Masanori Okuyama (Ilustrado por) · Yoshihiro Arimoto (Ilustrado por) · Springer · Tapa Blanda

ferroelectric random access memories: fundamentals and applications (en Inglés) - Ishiwara, Hiroshi ; Okuyama, Masanori ; Arimoto, Yoshihiro

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Reseña del libro "ferroelectric random access memories: fundamentals and applications (en Inglés)"

In fabrication of FeRAMs, various academic and technological backgrounds are necessary, which include ferroelectric materials, thin film formation, device physics, circuit design, and so on. This book covers from fundamentals to applications of ferroelectric random access memories (FeRAMs). The book consists of 5 parts: (1) ferroelectric thin films, (2) deposition and characterization methods, (3) fabrication process and circuit design, (4) advanced-type memories, and (5) applications and future prospects; each part is further divided into several chapters. Because of the wide range of topics discussed, each chapter in this book was written by one of the best authors knowing the specific topic very well. Thus, this is a good introductory book on FeRAM for graduate students and newcomers to this field; it also helps specialists to understand FeRAMs more deeply.

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