Name: Investigation of Gate Current In Neutron Irradiated AlxGa1-xN/GaN Heterogeneous Field Effect Transistors Using Voltage and Temperature Dependence (en Inglés)
Price: 1248.00 UYU
Availability: InStock
Author: Gray, Thomas E.
ISBN: 9781288308347

portada Investigation of Gate Current In Neutron Irradiated AlxGa1-xN/GaN Heterogeneous Field Effect Transistors Using Voltage and Temperature Dependence (en Inglés)

Investigation of Gate Current In Neutron Irradiated AlxGa1-xN/GaN Heterogeneous Field Effect Transistors Using Voltage and Temperature Dependence (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Autor

Thomas E. Gray

Editorial

Biblioscholar

Idioma

Inglés

N° páginas

128

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

24.6 x 18.9 x 0.7 cm

Peso

0.24 kg.

ISBN13

9781288308347

Categorías

Educación

Investigation of Gate Current In Neutron Irradiated AlxGa1-xN/GaN Heterogeneous Field Effect Transistors Using Voltage and Temperature Dependence (en Inglés)

Thomas E. Gray (Autor) · Biblioscholar · Tapa Blanda

Libro Nuevo Importado

Envío: 19 a 26 días háb.

$ 2.495$ 1.248

-50%

Costos de importación incluídos en el precio ✅

Libro Nuevo

Quedan 50 unidades

$ 1.248

Llega entre el 17 Jul y el 28 Jul a Montevideo, Montevideo. Seleccionar ubicación

Agregar a lista de deseos

Reseña del libro "Investigation of Gate Current In Neutron Irradiated AlxGa1-xN/GaN Heterogeneous Field Effect Transistors Using Voltage and Temperature Dependence (en Inglés)"

The gate current of Al27Ga73N/GaN heterogeneous field effect transistors (HFETs) is investigated using current-voltage (IV) and current-temperature (IT) measurement demonstrating that trap assisted tunneling (TAT) is the primary current mechanism. Excellent fit to experimental data is achieved using a thermionic trap assisted tunneling (TTT) model. A single value for each of the primary parameters (Schottky barrier height, trap energy, donor density and trap density) results in a sigma of 1.38x10-8 A for IT data measured at five voltages between 85K and 290K and for IV data measured at three temperatures between 0.0 V and -4.0 V. High energy (gt;0.5 MeV) neutron irradiation at fluences between 4.0x1010 and 1.2x1012 n/cm2 confirms an increase of gate current with fluence. A change in IV characteristics, interpreted as an increase in magnitude of threshold voltage, is also observed.

Opiniones del libro

¿Leíste este libro? Inicia sesión para poder agregar tu propia evaluación.

Ver más opiniones de clientes

0% (0)
0% (0)
0% (0)
0% (0)
0% (0)

Preguntas y respuestas sobre el libro

¿Tienes una pregunta sobre el libro? Inicia sesión para poder agregar tu propia pregunta.

Opiniones sobre Buscalibre

Ver más opiniones de clientes

Investigation of Gate Current In Neutron Irradiated AlxGa1-xN/GaN Heterogeneous Field Effect Transistors Using Voltage and Temperature Dependence (en Inglés) - Gray, Thomas E.

Reseña del libro "Investigation of Gate Current In Neutron Irradiated AlxGa1-xN/GaN Heterogeneous Field Effect Transistors Using Voltage and Temperature Dependence (en Inglés)"

Opiniones del libro

Preguntas frecuentes sobre el libro

¿El libro es original?

¿En qué Idioma está escrito el libro?

¿Cuál es la encuadernación de este libro?

Preguntas y respuestas sobre el libro

Opiniones sobre Buscalibre