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portada Microstructure and Optoelectronics Characterizations of Gaxsb1-X (en Inglés)
Formato
Libro Físico
Editorial
Autor
Idioma
Inglés
N° páginas
140
Encuadernación
Tapa Blanda
ISBN13
9783659716645

Microstructure and Optoelectronics Characterizations of Gaxsb1-X (en Inglés)

Ali Jalaukhan; Maysoon Alias; Hussein Al-Lamy (Autor) · Lap Lambert Academic Publishing · Tapa Blanda

Microstructure and Optoelectronics Characterizations of Gaxsb1-X (en Inglés) - Ali Jalaukhan; Maysoon Alias; Hussein Al-Lamy

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Reseña del libro "Microstructure and Optoelectronics Characterizations of Gaxsb1-X (en Inglés)"

Developments of narrow gap semiconductor physics have been closely related to the development of the science and technology of infrared optical electronics in which narrow gap semiconductors have played a vital role in detectors and emitters, and other high speed devices. Antimony-based technology is very promising for low voltage millimeter-wave (mm-wave) integrated circuits (ICs), as well as very highspeed, low-power digital ICs. Among the many potential applications are digitally beam-steered phased array receivers, particularly those deployed in space; 80-160 Gbit/s optical communication systems; unmanned reconnaissance vehicles; and mobile, battery-powered systems.

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